TSM280NB06LCR RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TSM280NB06LCR RLG
Fabricant / marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Livret des spécifications:	TSM280NB06LCR RLG.pdf
Etat du stock	380232 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 380232 pcs

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Spécifications de TSM280NB06LCR RLG

Modèle de produit	TSM280NB06LCR RLG	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	380232 pcs	Fiche technique	TSM280NB06LCR RLG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-PDFN (5x6)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 56W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerLDFN	Autres noms	TSM280NB06LCRRLGTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	969pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	N-Channel 60V 7A (Ta), 28A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A (Ta), 28A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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