TSM2N60ECH C5G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TSM2N60ECH C5G
Fabricant / marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit	MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Livret des spécifications:	TSM2N60ECH C5G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	116389 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 116389 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.323

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Spécifications de TSM2N60ECH C5G

Modèle de produit	TSM2N60ECH C5G	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	116389 pcs	Fiche technique	TSM2N60ECH C5G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-251 (IPAK)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)	52.1W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	TSM2N60ECH C5G-ND TSM2N60ECHC5G
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	362pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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