TSM80N1R2CL C0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TSM80N1R2CL C0G
Fabricant / marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
Livret des spécifications:	TSM80N1R2CL C0G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	36307 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 36307 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.868

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Spécifications de TSM80N1R2CL C0G

Modèle de produit	TSM80N1R2CL C0G	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	36307 pcs	Fiche technique	TSM80N1R2CL C0G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-262S (I2PAK)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Short Leads, I²Pak	Autres noms	TSM80N1R2CL C0G-ND TSM80N1R2CLC0G
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	685pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	19.4nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262S (I2PAK)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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