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TSC (Taiwan Semiconductor)
| Modèle de produit | TSM80N950CP ROG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 53352 pcs | Fiche technique | TSM80N950CP ROG.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | TSM80N950CP ROGDKR TSM80N950CP ROGDKR-ND TSM80N950CPROGDKR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 691pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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