0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | 2SK3564(STA4,Q,M) | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 44691 pcs | Fiche technique | 1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf |
| Tension - Test | 700pF @ 25V | Tension - Ventilation | TO-220SIS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V | Vgs (Max) | 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Séries | π-MOSIV |
| État RoHS | Tube | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3A (Ta) |
| Polarisation | TO-220-3 Full Pack | Autres noms | 2SK3564(Q) 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4Q) 2SK3564(STA4Q)-ND 2SK3564(STA4QM) 2SK3564Q 2SK3564Q-ND 2SK3564STA4QM |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | 2SK3564(STA4,Q,M) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 17nC @ 10V | type de IGBT | ±30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 1mA | Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 900V |
| Ratio de capacité | 40W (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
