2SK3565(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SK3565(Q,M)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
Livret des spécifications:	1.2SK3565(Q,M).pdf 2.2SK3565(Q,M).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6629 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6629 pcs

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Spécifications de 2SK3565(Q,M)

Modèle de produit	2SK3565(Q,M)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6629 pcs	Fiche technique	1.2SK3565(Q,M).pdf 2.2SK3565(Q,M).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220SIS
Séries	π-MOSIV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	45W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	2SK3565(Q) 2SK3565(Q)-ND 2SK3565Q 2SK3565Q-ND 2SK3565QM
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	900V
Description détaillée	N-Channel 900V 5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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