CUHS10F60,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	CUHS10F60,H3F
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
Livret des spécifications:	CUHS10F60,H3F.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	156404 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 156404 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.186

10 pcs: $0.133

100 pcs: $0.078

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Spécifications de CUHS10F60,H3F

Modèle de produit	CUHS10F60,H3F	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	156404 pcs	Fiche technique	CUHS10F60,H3F.pdf
Tension - inverse (Vr) (max)	60V	Package composant fournisseur	US2H
La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)	Séries	-
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	2-SMD, Flat Lead
Autres noms	CUHS10F60H3FCT	Température d'utilisation - Jonction	150°C (Max)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Schottky
Description détaillée	Diode Schottky 60V 1A Surface Mount US2H	Courant - fuite, inverse à Vr	40µA @ 60V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	1A	Capacité à Vr, F	130pF @ 0V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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