HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HN3C51F-GR(TE85L,F
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Livret des spécifications:	HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3846 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3846 pcs

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Spécifications de HN3C51F-GR(TE85L,F

Modèle de produit	HN3C51F-GR(TE85L,F	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3846 pcs	Fiche technique	HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	120V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	2 NPN (Dual)	Package composant fournisseur	SM6
Séries	-	Puissance - Max	300mW
Emballage	Original-Reel®	Package / Boîte	SC-74, SOT-457
Autres noms	HN3C51F-GR(TE85LF)DKR HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-ND HN3C51F-GR(TE85LFDKR	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	100MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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