RN1408,LF(B

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN1408,LF(B
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
Livret des spécifications:	RN1408,LF(B.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2965929 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2965929 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.012

6000 pcs: $0.011

15000 pcs: $0.01

30000 pcs: $0.009

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150000 pcs: $0.006

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Spécifications de RN1408,LF(B

Modèle de produit	RN1408,LF(B	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2965929 pcs	Fiche technique	RN1408,LF(B.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	S-Mini
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	22 kOhms	Puissance - Max	200mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms	RN1408(TE85L,F) RN1408(TE85LF)TR RN1408(TE85LF)TR-ND RN1408,LF RN1408,LF(T RN1408LF(BTR RN1408LFTR RN1408LFTR-ND	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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