RN1413(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN1413(TE85L,F)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
Livret des spécifications:	RN1413(TE85L,F).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3211919 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3211919 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.01

6000 pcs: $0.009

15000 pcs: $0.008

30000 pcs: $0.007

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Spécifications de RN1413(TE85L,F)

Modèle de produit	RN1413(TE85L,F)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3211919 pcs	Fiche technique	RN1413(TE85L,F).pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	S-Mini
Séries	-	Résistance - Base (R1)	47 kOhms
Puissance - Max	200mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	RN1413(TE85LF)TR RN1413TE85,F RN1413TE85F RN1413TE85F-ND RN1413TE85FTR RN1413TE85FTR-ND
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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