SSM5N15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SSM5N15FU,LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
Livret des spécifications:	SSM5N15FU,LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	913043 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 913043 pcs

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Spécifications de SSM5N15FU,LF

Modèle de produit	SSM5N15FU,LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 30V 0.1A USV	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	913043 pcs	Fiche technique	SSM5N15FU,LF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	USV
Séries	π-MOSVI	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	Autres noms	SSM5N15FU (TE85L,F) SSM5N15FU (TE85LF) SSM5N15FU(TE85L,F) SSM5N15FU(TE85LF)TR SSM5N15FU(TE85LF)TR-ND SSM5N15FULFTR SSM5N15FUTE85LF
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7.8pF @ 3V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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