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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM6H19NU,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 848216 pcs | Fiche technique | SSM6H19NU,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA | Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 6-UDFN (2x2) |
| Séries | U-MOSVII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1A, 8V |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-UDFN Exposed Pad | Autres noms | SSM6H19NU,LF(B SSM6H19NU,LF(T SSM6H19NULFTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.2V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 8V | Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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