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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM6J207FE,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 707797 pcs | Fiche technique | 1.SSM6J207FE,LF.pdf2.SSM6J207FE,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | ES6 (1.6x1.6) |
| Séries | U-MOSII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 251 mOhm @ 650mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 | Autres noms | SSM6J207FE(TE85L,F SSM6J207FE(TE85LFTR SSM6J207FE(TE85LFTR-ND SSM6J207FE,LF(CA SSM6J207FELFTR SSM6J207FETE85LF |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 137pF @ 15V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | P-Channel 30V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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