0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM6J216FE,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 556970 pcs | Fiche technique | SSM6J216FE,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | ES6 |
| Séries | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 | Autres noms | SSM6J216FE,LF(A SSM6J216FELF SSM6J216FELF(A SSM6J216FELF-ND SSM6J216FELFTR |
| Température de fonctionnement | 150°C | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| Description détaillée | P-Channel 12V 4.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount ES6 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
