TK16A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK16A55D(STA4,Q,M)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
Livret des spécifications:	TK16A55D(STA4,Q,M).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6646 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6646 pcs

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Spécifications de TK16A55D(STA4,Q,M)

Modèle de produit	TK16A55D(STA4,Q,M)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6646 pcs	Fiche technique	TK16A55D(STA4,Q,M).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	TO-220SIS	Séries	π-MOSVII
Rds On (Max) @ Id, Vgs	330 mOhm @ 8A, 10V	Dissipation de puissance (max)	-
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack
Autres noms	TK16A55D(STA4QM) TK16A55DSTA4QM	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension drain-source (Vdss)	550V
Description détaillée	N-Channel 550V 16A (Ta) Through Hole TO-220SIS	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	16A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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