TK16A60W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK16A60W,S4X
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV
Livret des spécifications:	TK16A60W,S4X.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	38076 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38076 pcs

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Spécifications de TK16A60W,S4X

Modèle de produit	TK16A60W,S4X	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	38076 pcs	Fiche technique	TK16A60W,S4X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	DTMOSIV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	40W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	TK16A60WS4X
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 15.8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	15.8A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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