TK16V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK16V60W,LVQ
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
Livret des spécifications:	TK16V60W,LVQ.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5031 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5031 pcs

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Spécifications de TK16V60W,LVQ

Modèle de produit	TK16V60W,LVQ	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5031 pcs	Fiche technique	TK16V60W,LVQ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	4-DFN-EP (8x8)
Séries	DTMOSIV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	139W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	4-VSFN Exposed Pad	Autres noms	TK16V60WLVQCT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 15.8A (Ta) 139W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	15.8A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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