TK17E65W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK17E65W,S1X
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Livret des spécifications:	TK17E65W,S1X.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	24107 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24107 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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50 pcs: $1.02

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Spécifications de TK17E65W,S1X

Modèle de produit	TK17E65W,S1X	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	24107 pcs	Fiche technique	TK17E65W,S1X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 900µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	DTMOSIV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 8.7A, 10V
Dissipation de puissance (max)	165W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	TK17E65W,S1X(S TK17E65WS1X
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 300V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	17.3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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