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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | TK31N60W5,S1VF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 12577 pcs | Fiche technique | TK31N60W5,S1VF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-247 |
| Séries | DTMOSIV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 230W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 | Autres noms | TK31N60W5,S1VF(S TK31N60W5,S1VF-ND TK31N60W5S1VF |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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