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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | TK32A12N1,S4X | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 120V 32A TO-220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 57592 pcs | Fiche technique | TK32A12N1,S4X.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220SIS |
| Séries | U-MOSVIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack | Autres noms | TK32A12N1,S4X(S TK32A12N1,S4X-ND TK32A12N1S4X |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 60V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 120V |
| Description détaillée | N-Channel 120V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 32A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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