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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | TK3R1P04PL,RQ | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 136266 pcs | Fiche technique | TK3R1P04PL,RQ.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | DPAK |
| Séries | U-MOSIX-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 29A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 87W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | TK3R1P04PL,RQ(S2 TK3R1P04PL,RQTR TK3R1P04PLRQ TK3R1P04PLRQ(S2 TK3R1P04PLRQTR |
| Température de fonctionnement | 175°C | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 20V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 58A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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