TK60P03M1,RQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK60P03M1,RQ(S
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3
Livret des spécifications:	TK60P03M1,RQ(S.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	156456 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 156456 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

2000 pcs: $0.193

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Spécifications de TK60P03M1,RQ(S

Modèle de produit	TK60P03M1,RQ(S	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	156456 pcs	Fiche technique	TK60P03M1,RQ(S.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 500µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	U-MOSVI-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)	63W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	TK60P03M1RQ(S TK60P03M1RQS
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 60A (Ta) 63W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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