0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | TK650A60F,S4X | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 58322 pcs | Fiche technique | TK650A60F,S4X.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.16mA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220SIS |
| Séries | U-MOSIX | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack | Autres noms | TK650A60F,S4X(S TK650A60FS4X TK650A60FS4X(S |
| Température de fonctionnement | 150°C | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | Not Applicable | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 300V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
