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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | TPN2R503NC,L1Q | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 160095 pcs | Fiche technique | TPN2R503NC,L1Q.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Séries | U-MOSVIII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 35W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Autres noms | TPN2R503NC,L1Q(M TPN2R503NCL1Q TPN2R503NCL1QTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 40A (Ta) 700mW (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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