TPN2R805PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPN2R805PL,L1Q
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Livret des spécifications:	TPN2R805PL,L1Q.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	230917 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 230917 pcs

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Spécifications de TPN2R805PL,L1Q

Modèle de produit	TPN2R805PL,L1Q	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	230917 pcs	Fiche technique	TPN2R805PL,L1Q.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Séries	U-MOSIX-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.67W (Ta), 104W (Tc)	Package / Boîte	8-PowerVDFN
Autres noms	TPN2R805PLL1Q	Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3.2nF @ 22.5V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	45V
Description détaillée	N-Channel 45V 139A (Ta), 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	139A (Ta), 80A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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