FGA40S65SH

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGA40S65SH
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	650V FS GEN3 TRENCH IGBT
Livret des spécifications:	FGA40S65SH.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	24682 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24682 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.285

10 pcs: $1.155

450 pcs: $0.898

900 pcs: $0.806

1350 pcs: $0.679

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Spécifications de FGA40S65SH

Modèle de produit	FGA40S65SH	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	650V FS GEN3 TRENCH IGBT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	24682 pcs	Fiche technique	FGA40S65SH.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	1.81V @ 15V, 40A
Condition de test	400V, 40A, 6 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	19.2ns/68.8ns
énergie de commutation	194µJ (on), 388µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-3PN
Séries	-	Puissance - Max	268W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	73nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	120A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	80A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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