FGA50N100BNTD2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGA50N100BNTD2
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Livret des spécifications:	FGA50N100BNTD2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	9941 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9941 pcs

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Spécifications de FGA50N100BNTD2

Modèle de produit	FGA50N100BNTD2	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 1000V 50A 156W TO3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	9941 pcs	Fiche technique	FGA50N100BNTD2.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1000V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 60A
Condition de test	600V, 60A, 10 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	34ns/243ns
énergie de commutation	-	Package composant fournisseur	TO-3P
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	75ns
Puissance - Max	156W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	NPT and Trench	gate charge	257nC
Description détaillée	IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	200A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	50A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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