FGA50S110P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGA50S110P
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 1100V 50A 300W TO3PN
Livret des spécifications:	FGA50S110P.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	26658 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26658 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.075

10 pcs: $0.966

450 pcs: $0.75

900 pcs: $0.673

1350 pcs: $0.568

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Spécifications de FGA50S110P

Modèle de produit	FGA50S110P	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 1100V 50A 300W TO3PN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	26658 pcs	Fiche technique	FGA50S110P.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1100V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 50A
Condition de test	-	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	-
énergie de commutation	-	Package composant fournisseur	TO-3PN
Séries	-	Puissance - Max	300W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	195nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 1100V 50A 300W Through Hole TO-3PN
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	120A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	50A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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