FGA50T65SHD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGA50T65SHD
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
Livret des spécifications:	FGA50T65SHD.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	16076 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16076 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.833

10 pcs: $1.646

450 pcs: $1.279

900 pcs: $1.148

1350 pcs: $0.968

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Spécifications de FGA50T65SHD

Modèle de produit	FGA50T65SHD	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 650V 100A 319W TO-3PN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	16076 pcs	Fiche technique	FGA50T65SHD.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Condition de test	400V, 50A, 6 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	22.4ns/73.6ns
énergie de commutation	1.28mJ (on), 384µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-3PN
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	34.6ns
Puissance - Max	319W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	gate charge	87nC
Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 100A 319W Through Hole TO-3PN	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	150A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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