FQA9P25

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQA9P25
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P
Livret des spécifications:	FQA9P25.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	40678 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40678 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.938

10 pcs: $0.848

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900 pcs: $0.479

1350 pcs: $0.439

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Spécifications de FQA9P25

Modèle de produit	FQA9P25	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	40678 pcs	Fiche technique	FQA9P25.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3PN
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 5.25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Autres noms	FQA9P25-ND FQA9P25FS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	250V
Description détaillée	P-Channel 250V 10.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PN	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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