FQAF11N90C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQAF11N90C
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
Livret des spécifications:	FQAF11N90C.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	17551 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17551 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.658

10 pcs: $1.479

360 pcs: $1.095

720 pcs: $0.982

1080 pcs: $0.828

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Spécifications de FQAF11N90C

Modèle de produit	FQAF11N90C	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	17551 pcs	Fiche technique	FQAF11N90C.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3PF
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	120W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	SC-94	Autres noms	FQAF11N90C-ND FQAF11N90CFS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3290pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	900V
Description détaillée	N-Channel 900V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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