FQAF11N90

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQAF11N90
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
Livret des spécifications:	FQAF11N90.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5971 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5971 pcs

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Spécifications de FQAF11N90

Modèle de produit	FQAF11N90	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5971 pcs	Fiche technique	FQAF11N90.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3PF
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	960 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	120W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	SC-94	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	900V	Description détaillée	N-Channel 900V 7.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7.2A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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