HGT1S20N36G3VL

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HGT1S20N36G3VL
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
Livret des spécifications:	HGT1S20N36G3VL.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3621 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3621 pcs

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Spécifications de HGT1S20N36G3VL

Modèle de produit	HGT1S20N36G3VL	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3621 pcs	Fiche technique	HGT1S20N36G3VL.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	395V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 5V, 20A
Condition de test	300V, 10A, 25 Ohm, 5V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	-/15µs
énergie de commutation	-	Package composant fournisseur	I2PAK (TO-262)
Séries	-	Puissance - Max	150W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Logic	type de IGBT	-
gate charge	28.7nC	Description détaillée	IGBT 395V 37.7A 150W Through Hole I2PAK (TO-262)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	37.7A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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