HGT1S7N60A4DS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HGT1S7N60A4DS
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Livret des spécifications:	HGT1S7N60A4DS.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5983 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5983 pcs

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Spécifications de HGT1S7N60A4DS

Modèle de produit	HGT1S7N60A4DS	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 34A 125W TO263AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5983 pcs	Fiche technique	HGT1S7N60A4DS.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 7A
Condition de test	390V, 7A, 25 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	11ns/100ns
énergie de commutation	55µJ (on), 60µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-263AB
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	34ns
Puissance - Max	125W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	-	gate charge	37nC
Description détaillée	IGBT 600V 34A 125W Surface Mount TO-263AB	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	56A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	34A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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