HGTD7N60C3S9A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HGTD7N60C3S9A
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 14A 60W TO252AA
Livret des spécifications:	1.HGTD7N60C3S9A.pdf 2.HGTD7N60C3S9A.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	52433 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52433 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.692

10 pcs: $0.621

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500 pcs: $0.41

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Spécifications de HGTD7N60C3S9A

Modèle de produit	HGTD7N60C3S9A	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 14A 60W TO252AA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	52433 pcs	Fiche technique	1.HGTD7N60C3S9A.pdf 2.HGTD7N60C3S9A.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 7A
Condition de test	-	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	-
énergie de commutation	165µJ (on), 600µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-252AA
Séries	-	Puissance - Max	60W
Emballage	Original-Reel®	Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	HGTD7N60C3S9AOSDKR	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	-	gate charge	23nC
Description détaillée	IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-252AA	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	56A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	14A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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