NGTB30N60L2WG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NGTB30N60L2WG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 30A TO247
Livret des spécifications:	NGTB30N60L2WG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	17581 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17581 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.689

30 pcs: $1.435

120 pcs: $1.244

510 pcs: $1.059

1020 pcs: $0.893

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Spécifications de NGTB30N60L2WG

Modèle de produit	NGTB30N60L2WG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 30A TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	17581 pcs	Fiche technique	NGTB30N60L2WG.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	1.6V @ 15V, 30A
Condition de test	300V, 30A, 30 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	100ns/390ns
énergie de commutation	310µJ (on), 1.14mJ (off)	Package composant fournisseur	TO-247-3
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	70ns
Puissance - Max	225W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	-	gate charge	166nC
Description détaillée	IGBT 600V 100A 225W Through Hole TO-247-3	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	60A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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