NGTB30N60SWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NGTB30N60SWG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 60A 189W TO247
Livret des spécifications:	NGTB30N60SWG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6264 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6264 pcs

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Spécifications de NGTB30N60SWG

Modèle de produit	NGTB30N60SWG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 60A 189W TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6264 pcs	Fiche technique	NGTB30N60SWG.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 30A
Condition de test	400V, 30A, 10 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	57ns/109ns
énergie de commutation	750µJ (on), 540µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	200ns
Puissance - Max	189W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	NGTB30N60SWGOS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	90nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 600V 60A 189W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	120A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	60A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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