SGS10N60RUFDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SGS10N60RUFDTU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 16A 55W TO220F
Livret des spécifications:	SGS10N60RUFDTU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	43125 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43125 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.868

10 pcs: $0.778

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500 pcs: $0.514

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Spécifications de SGS10N60RUFDTU

Modèle de produit	SGS10N60RUFDTU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 16A 55W TO220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	43125 pcs	Fiche technique	SGS10N60RUFDTU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 10A
Condition de test	300V, 10A, 20 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	15ns/36ns
énergie de commutation	141µJ (on), 215µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-220F
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	60ns
Puissance - Max	55W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	-	gate charge	30nC
Description détaillée	IGBT 600V 16A 55W Through Hole TO-220F	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	30A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	16A	Numéro de pièce de base	SG*10N60

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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