SGS6N60UFTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SGS6N60UFTU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 6A 22W TO220F
Livret des spécifications:	SGS6N60UFTU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5453 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5453 pcs

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Spécifications de SGS6N60UFTU

Modèle de produit	SGS6N60UFTU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 6A 22W TO220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5453 pcs	Fiche technique	SGS6N60UFTU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 3A
Condition de test	300V, 3A, 80 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	15ns/60ns
énergie de commutation	57µJ (on), 25µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-220F
Séries	-	Puissance - Max	22W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	-
gate charge	15nC	Description détaillée	IGBT 600V 6A 22W Through Hole TO-220F
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	25A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	6A
Numéro de pièce de base	SG*6N60

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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