DMN1029UFDB-7

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN1029UFDB-7
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Livret des spécifications:	DMN1029UFDB-7.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	194539 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 194539 pcs

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Spécifications de DMN1029UFDB-7

Modèle de produit	DMN1029UFDB-7	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	194539 pcs	Fiche technique	DMN1029UFDB-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Package composant fournisseur	U-DFN2020-6 (Type B)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 4.5V
Puissance - Max	1.4W	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	6-UDFN Exposed Pad	Autres noms	DMN1029UFDB-7DICT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	914pF @ 6V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 8V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Standard
Tension drain-source (Vdss)	12V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.6A

Mode de transport
Après vente
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