DMN1033UCB4-7

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN1033UCB4-7
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
Livret des spécifications:	DMN1033UCB4-7.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	108362 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 108362 pcs

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Spécifications de DMN1033UCB4-7

Modèle de produit	DMN1033UCB4-7	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	108362 pcs	Fiche technique	DMN1033UCB4-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Package composant fournisseur	U-WLB1818-4
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Puissance - Max	1.45W	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	4-UFBGA, WLBGA	Autres noms	DMN1033UCB4-7DICT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 4.5V
type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	-	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	-

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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