DMN10H099SFG-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN10H099SFG-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 4.2A
Livret des spécifications:	DMN10H099SFG-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	272685 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 272685 pcs

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Spécifications de DMN10H099SFG-13

Modèle de produit	DMN10H099SFG-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 100V 4.2A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	272685 pcs	Fiche technique	DMN10H099SFG-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerDI3333-8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	980mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1172pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.2A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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