EPC2103ENG

EPC

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EPC2103ENG
Fabricant / marque:	EPC
Description du produit	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Livret des spécifications:	EPC2103ENG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	8493 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8493 pcs

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Spécifications de EPC2103ENG

Modèle de produit	EPC2103ENG	Fabricant	EPC
La description	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	8493 pcs	Fiche technique	EPC2103ENG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 7mA	Package composant fournisseur	Die
Séries	eGaN®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max	-	Emballage	Tray
Package / Boîte	Die	Autres noms	917-EPC2103ENG EPC2103ENGRH7
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 40V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 5V
type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Fonction FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)	80V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	23A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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