EPC2105ENG

EPC

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EPC2105ENG
Fabricant / marque:	EPC
Description du produit	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Livret des spécifications:	EPC2105ENG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	9049 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9049 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

10 pcs: $4.074

30 pcs: $3.769

100 pcs: $3.463

250 pcs: $3.157

500 pcs: $2.954

1000 pcs: $2.709

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Spécifications de EPC2105ENG

Modèle de produit	EPC2105ENG	Fabricant	EPC
La description	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	9049 pcs	Fiche technique	EPC2105ENG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 2.5mA	Package composant fournisseur	Die
Séries	eGaN®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max	-	Emballage	Bulk
Package / Boîte	Die	Autres noms	EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V
type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Fonction FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)	80V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9.5A, 38A

Mode de transport
Après vente
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