| Modèle de produit | EPC2103ENGRT | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 11227 pcs | Fiche technique | EPC2103ENGRT.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA | Package composant fournisseur | Die |
| Séries | eGaN® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Puissance - Max | - | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | Die | Autres noms | 917-1146-1 917-1146-1-ND 917-EPC2103ENGRCT |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V | type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 23A |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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