| Modèle de produit | SSM3J15FV,L3F | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 2188389 pcs | Fiche technique | SSM3J15FV,L3F.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | VESM |
| Séries | π-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-723 | Autres noms | SSM3J15FV,L3F(B SSM3J15FV,L3F(T SSM3J15FVL3FTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1pF @ 3V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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