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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM3J321T(TE85L,F) | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 3471 pcs | Fiche technique | 1.SSM3J321T(TE85L,F).pdf2.SSM3J321T(TE85L,F).pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TSM |
| Séries | U-MOSV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Autres noms | SSM3J321T (TE85L,F) SSM3J321T(TE85LF)TR SSM3J321TTE85LF |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 5.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.2A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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