SSM3J304T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SSM3J304T(TE85L,F)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Livret des spécifications:	SSM3J304T(TE85L,F).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	157407 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 157407 pcs

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Spécifications de SSM3J304T(TE85L,F)

Modèle de produit	SSM3J304T(TE85L,F)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	157407 pcs	Fiche technique	SSM3J304T(TE85L,F).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TSM
Séries	U-MOSIII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	127 mOhm @ 1A, 4V
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	SSM3J304T(TE85LF)DKR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	335pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 4V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 2.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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